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GB/T 14146-2009
硅外延層載流子濃度測定.汞探針電容-電壓法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GBT14146-2009, GB14146-2009

2021-12

GB/T 14146-2009

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標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
GB/T 14146-2009
別名
GBT14146-2009
GB14146-2009
發(fā)布
2009年
總頁數(shù)
9頁
發(fā)布單位
國家質(zhì)檢總局
替代標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 14146-2021
當(dāng)前最新
GB/T 14146-2021
 
 
引用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 14847-1993 GB/T 1550-1997 GB/T 1552-1995
被代替標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 14146-1993

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延層載流子濃度汞探針電容-電壓測量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)的硅外延層載流子濃度測量。測量范圍為：4×10cm～8×10cm。 本標(biāo)準(zhǔn)測試的硅外延層的厚度必須大于測試偏壓下耗盡的深度。 本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅拋光片的載流子濃度測量。

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